전기로 (Furnace)를 이용한 산화막(SiO2) 증착

1. Furnace System (전기로 증착 시스템)

Exterior

Interior

2. Furnace temperature Controller (전기로 온도 조절장치)

3. Gas Regulator with Bourdon Gauge (부르동 게이지로 이뤄어진 가스 레귤레이터)

How does the Bourdon Gauge work? YouTube Link (부르동 게이지 작동원리 동영상 링크)

4. Ball gauge controller (볼 게이지 가스 조절장치)

5. Experiment Procedure (실험절차)

① Si (100) wafer cutting ( 1.2 × 2 cm) 
실리콘 웨이퍼 커팅

② Si substrates cleaning (RCA cleaning) 
기판 세척

③ Load the Si substrates onto the center of quartz tube in the furnace. 
전기로의 쿼츠 튜브 중심으로 기판을 넣는다.

④ Flow Oxygen (O₂) gas into the quartz by using gas regulator[3] and ball gauge[4]. 
레귤레이터와 볼게이지를 이용해 산소를 쿼츠 튜브에 흘려준다.

⑤ Turn on the Furnace and Set the temperature 900 ℃ by using furnace temperature controller[2].
전기로에 전원을 공급하고 온도 조절장치를 이용해 900 도씨로 설정한다.

⑥ Set the timer that you have (1 hour).

별도의 타이머 장치는 없으므로 알아서 1시간 타이머를 설정한다.

⑦ After the set time, set the temperature 20 ℃ and wait until cooling down onto the room temperature.
1시간 후에 장치 설정 온도를 20도씨로 맞추고 상온으로 식을 때까지 기다린다.

⑧ Stop flowing the gas and unload the Si substrates.
가스 공급을 중단하고 증착된 기판을 뺀다.